Цього року капіталовкладення Samsung Electronics в напівпровідниковий виробництво знову досягнуть рекордного рівня


 
За оцінкою Digitimes Research , цього року капітальні вкладення Samsung Electronics в напівпровідниковий виробництво досягнуто рекордної позначки – 15 мільярдів доларів. Вже шостий рік поспіль південнокорейський виробник інвестує в розвиток напівпровідникового виробництва більше всіх у світі .
Для порівняння: основний конкурент Samsung на ринку мікросхем пам’яті DRAM , компанія SK Hynix збереже капітальні вкладення приблизно на торішньому рівні – 5,1 млрд доларів. При цьому на випуск мікросхем пам’яті DRAM доводиться 3,8 млр доларів. Компанія Samsung виділяє на ці цілі 6,4 млрд доларів. Відзначимо, що зазначені витрати двох південнокорейських виробників складають приблизно 75 % усіх капіталовкладень у виробництво мікросхем пам’яті DRAM у світі.
Приблизно 4,7 млрд доларів Samsung виділяє на нарощування випуску флеш-пам’яті NAND. Головним чином, ці кошти призначені для фабрики в Китаї, яка спеціалізується на випуску флеш-пам’яті з об’ємною компонуванням .
Капітальні витрати компанії Samsung на випуск логічних мікросхем в 2015 році збільшаться в порівнянні з минулим роком з 2,9 до 4 млрд доларів. Основна частина коштів піде на розширення фабрики Line -17 в Кореї і подальше нарощування 14- нанометрового виробництва в США.
Джерело: DigiTimes
DigiTimes

Оставить комментарий

Ваш email не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *

Вы можете использовать это HTMLтеги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>